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发布于 2023-08-06

斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长，是薄膜在结晶表面外延成长的三种主要模式之一。此生长机制包含两个过程：首先在衬底上吸附成薄膜并开始层状累积，达到临界厚度时，会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式 。S-K生长最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年发现。直到1958年，S-K生长模式、Vol..